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影響tgδ測量的主要因素及分析判斷

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    1.影響因素

    (1)溫度的影響。tgδ值受溫度影響而變化,為了比較試驗結(jié)果,對同一設(shè)備在不同溫度下的變化必須將結(jié)果歸算到一個鞏固的基準(zhǔn)溫度,一般歸算到20。
    (2)濕度的影響。在不同的濕度下測得的值也是有差別的,應(yīng)在空氣相對濕度小于80%下進行試驗。
    (3)絕緣的清潔度和表面泄漏電流的影響。這可以用清潔和干燥表面來將損失減到最小,也可采用涂硅油等辦法來消除這種影響。
    2.分析
    (1)和《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》的要求值作比較。
    (2)對逐年的試驗結(jié)果應(yīng)進行比較,在兩個試驗間隔之間的試驗測量值不應(yīng)該有顯著的增加或降低。
    (3)當(dāng)tgδ值未超過規(guī)定值時,可以補充電容量來分析,電容量不應(yīng)該有明顯的變化。
    (4)應(yīng)充分考慮溫度等的影響,并進行修正。
    (5)通過測tgδ=f(U)的曲線,觀察tgδ是否隨電壓而上升,來判斷絕緣內(nèi)部是否有分層、裂紋等缺陷。
    3.綜合判斷
    由上述可知,每一項預(yù)防性試驗項目對反映不同絕緣介質(zhì)的各種缺陷的特點及靈敏度各不相同,因此對各項預(yù)防性試驗結(jié)果不能孤立地、單獨地對絕緣介質(zhì)做出試驗結(jié)論,而必須將各項試驗結(jié)果全面地聯(lián)系起來,進行系統(tǒng)地、全面地分析、比較,并結(jié)合各種試驗方法的有效性及設(shè)備的歷史情況,才能對被試設(shè)備的絕緣狀態(tài)和缺陷性質(zhì)做出科學(xué)的結(jié)論。例如,當(dāng)利用絕緣電阻測試儀和電橋分別對變壓器絕緣進行測量時,如果tgδ值不高,其絕緣電阻、吸收比較低,則往往表示絕緣中有集中性缺陷;如果tgδ值也高,則往往說明絕緣整體受潮。
    一般地說,如果電氣設(shè)備各項預(yù)防性試驗結(jié)果(也包括破壞性試驗)能全部符合規(guī)定,則認(rèn)為該設(shè)備絕緣狀況良好,能投入運行。但是對非破壞性試驗而言,有些項目往往不作具體規(guī)定,有的雖有規(guī)定,然而,試驗結(jié)果卻又在合格范圍內(nèi)出現(xiàn)“異?!?,即測量結(jié)果合格,增長率很快。對這些情況如何作出正確判斷,則是每個試驗人員非常關(guān)心的問題。根據(jù)現(xiàn)場試驗經(jīng)驗,現(xiàn)將電氣設(shè)備絕緣預(yù)防性試驗結(jié)果的綜合分析判斷概括為比較法。它包括下列內(nèi)容:
    (1)與設(shè)備歷年(次)試驗結(jié)果相互比較,因為一般的電氣設(shè)備都應(yīng)定期地進行預(yù)防性試驗,如果設(shè)備絕緣在運行過程中沒有什么變化,則歷次的試驗結(jié)果都應(yīng)當(dāng)比較接近。如果有明顯的差異,則說明絕緣可能有缺陷。
    (2)與同類型設(shè)備試驗結(jié)果相互比較。因為對同一類型的設(shè)備而言,其絕緣結(jié)構(gòu)相同,在相同的運行和氣候條件下,其測試結(jié)果應(yīng)大致相同。若懸殊很大,則說明絕緣可能有缺陷。
    (3)同一設(shè)備相間的試驗結(jié)果相互比較。因為同一設(shè)備,各相的絕緣情況應(yīng)當(dāng)基本一樣,如果三相試驗結(jié)果相互比較差異明顯,則說明有異常的絕緣可能有缺陷。
    (4)與《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》規(guī)定的“允許值”相互比較。對有些試驗項目,《電力設(shè)備預(yù)防性試驗規(guī)程》規(guī)定了“允許值”,若測量值超過“允許值”,應(yīng)認(rèn)真分析,查找原因,或在結(jié)合其他試驗項目來查找缺陷。
    總之,應(yīng)當(dāng)堅持科學(xué)態(tài)度,對試驗結(jié)果必須全面地、歷史地綜合分析,掌握設(shè)備性能變化的規(guī)律和趨勢,這是多年來試驗工作者總結(jié)出來的一條綜合分析判斷試驗結(jié)構(gòu)的重要原則,并以此來正確判斷設(shè)備絕緣狀況,為檢修提供依據(jù)。
    表1-1列出了非破壞性試驗基本方法的比較,在試驗中應(yīng)充分利用它們的特點去發(fā)掘絕緣缺陷。


表1-1 非破壞性試驗基本方法的比較
試驗方法
能 發(fā)現(xiàn)的缺陷
不能發(fā)現(xiàn)的缺陷
評    價
測量絕緣電阻 貫通的集中性缺陷,整體受潮或有貫通性的受潮部分 未貫通的集中性缺陷,絕緣整體老化及游離 基本方法之一
測量吸收比 受潮,貫通的集中性缺陷 未貫通的集中性缺陷,絕緣整體老化 應(yīng)用于判斷受潮
測量泄漏電流 同絕緣電阻測量,但較靈敏 同絕緣電阻測量 基本方法之一
測量tgδ 整體受潮、劣化,小體積被試品的貫通及未貫通缺陷 大體積被試品的集中性缺陷 基本方法之

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